主要區別就是主體不同，場效電晶體就是MOS管，場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體，MOS管可以說是一種通俗的叫法吧，一些採購工程比較喜歡叫MOS管。 至於場效電晶體跟三極體的相似之處呢，這個就比較專業了，我個人片面的認識是外形相似
一、主體不同
1、場效應：V型槽MOS場效電晶體。是繼MOSFET之後新發展起來的高效、功率開關器件。
2、MOS管：金屬-氧化物-半導體型場效電晶體屬於絕緣柵型。
二、特性不同
1、場效應：不僅繼承了MOS場效電晶體輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。
2、MOS管：主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。
三、原理規則不同
1、場效應：將電子管與功率電晶體之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
2、MOS管：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS後，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。
mos管一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極S：source 源極D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
