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這個場效電晶體是開關電源的高壓振盪管！它和高頻變壓器等元件組成的高頻振盪是開關電源的核心！場效電晶體的作用&nbsp1、場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容...

aod403是P溝道增強型MOS場效電晶體，在工作時，它的柵偏電壓的極性與漏極電壓的相同，在電路設計中較為方便，在高速、低功耗電路中廣泛應用。aod403場效電晶體資料：漏源擊穿電壓：30V漏源電流：85A耗散功率：2.5W輸入電容：5300pF（15V）柵源...

按結構可分為兩大類：結型場效電晶體（JFET）和絕緣柵型場效電晶體（IGFET）結型場效電晶體又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金屬--氧化物--半導體場效電晶體（MOS管）。MOS管又分為“耗盡型”和“增強型”兩種，而每一種又分為N...

你好，很高興為你解答！首先將柵、源短路一下。確認管子沒有殘存電壓。當柵、源不加正向偏壓即Vcs=0V時，用Rxlk擋，黑筆接漏極，紅筆接源極，此時讀數為無窮大。即Rds為無窮大。說明此時管子是截止的。用Rxlok擋（電壓約9V），黑表宅接...

你好，很高興為你解答！1、首先觀察場效電晶體的外觀是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等說明已經發生損壞。2、對場效電晶體的引腳進行清潔，然後用小鑷子對場效電晶體進行放電，避免殘留電荷對檢測產生影響。3、選擇數字萬用表的【...

一、可能是所選場效電晶體功率太小二、是沒有加足夠大的散熱片三、是管子激勵不足沒有工作在開關狀態，還有可能是電路設計不合理，管子承受的尖峰電壓太高。還有可能是推輓兩管工作不協調，出現瞬間同時導通。...

c4977是NPN大功率開關晶體三極體，不是場效電晶體，主要用於各種功率放大電路、開關電路中。c4977三極體主要引數：極性：NPN型結構：點接觸型材料：矽Si集電極-發射極工作電壓：400V集電極-基極反向擊穿電壓：400V集電極最大允許電流：12...

斷態重複峰值電壓VDRM＞850V，反向重複峰值電壓VRRM＞850V斷態重複峰值電壓(VDRM/VRRM)&nbsp600/800V通態均方根電流(IT(RMS))&nbsp&nbsp12A，通態電流臨界上升率(dIT/dt)&nbsp50A/μs，門極峰值電流(IGM)2A，門極峰值功率(PGM)&n...

場效電晶體的好壞判斷方法與三極體完全不同，以N溝道MOSFET為例，按如下方法進行:1、萬用表置二極體檔2、紅筆接D極，黑筆接S極應是不通的反過來量則接應有0.5V的壓降3、紅筆接G極，黑筆接S極，也應是不通的，但此步驟很重要，已經給G...

hy4008場效電晶體引數:輸出壓為200v，電流為18A，功率為120W，輸入壓為400v，頻率為80V。場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極...

場效電晶體的驅動電壓是2～4V（極值20V），驅動電流約100nA。場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效電晶體（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET...

音箱的輸出功率不是功率管的數量決定的，決定功率的是供給音箱的電壓和負載決定的。供給音箱管的電壓越高，輸出電壓也越高。負載（喇叭阻抗）越小，輸出功率越大。並管可以提高帶載能力，但不能提高功率。如...----P=I*U當工作電...

場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有以下兩種型別：（junctionFET—JFET)和金氧半導體場效電晶體（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）50N06是N溝道場效電晶體這就是50安60伏的50n60場...

&nbspirf9610場效電晶體引數:&nbsp型號為IRF9610，型別為P溝道場效電晶體（絕緣柵型），耗散功率（PD）為20W，漏極電流（ID）為1A，漏極和源極電壓（VDSS）為200V。&nbsp場效應電晶體簡稱場效電晶體。主要有兩種型別，由多數載流子參與導電，也稱為單極...

你好，很高興為你解答！首先觀察場效電晶體的外觀是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等說明已經發生損壞。對場效電晶體的引腳進行清潔，然後用小鑷子對場效電晶體進行放電，避免殘留電荷對檢測產生影響。將萬用表黑表筆接待測場效電晶體...

&nbsp場效電晶體2sk1386引數:&nbsp型號為2SK1386，型別為N溝道場效電晶體（絕緣柵型），耗散功率（PD）100W，漏極電流（ID）7A，漏極和源極電壓（VDSS）450V，封裝4-186。&nbsp場效電晶體是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的半導體器件...

k2847場效電晶體類似了4400毫安電池，支援66w的快速充電以及50w的無線充電。它採用的是聯發科天機1200處理器，效能強大，並且支援5G雙模全網通功能，後置的6400萬的高清三攝主攝像頭，支援光學防抖。並且他還支援紅外遙控功能以...

8n60是N溝通場效電晶體，漏極電流，Id最大值:7.5A，電壓，Vds最大:600V，開態電阻，Rds(on):1.2oh，電壓，Vgs最高:30V功耗:48W，工作溫度範圍:-55°Cto+150°C，封裝：TO-220F，主要有兩種型別：結型場效電晶體和金屬-氧化物半導體場效電晶體，它屬於電...

場效電晶體K2045引數:600v，6A，35w。可用k2843，6N60等型號的代換。場效電晶體的應用很廣，能夠用於調製、放大、阻抗變換、穩流、限流和自動維護等電路中，夾斷電壓UP也稱截止柵壓UGS(OFF)，是在耗盡型結型場效電晶體或耗盡型絕緣柵型...

可以。自制升壓電路的方法如下：1、準備所需材料如下：VT可以選擇9013等管子，如需電流大，可以選擇功率更大的管R普通100歐的電阻D1普通的1N4148?C普通電解電容變壓器T，這個是關鍵，用高導磁率的磁環繞制，可以在廢舊的鎮流器，電腦...

5n90型場效電晶體為MOS管，其主要引數如下：功率:150W電流:5AV耐壓:900V內阻:2.5Ω。mos管有的時候也稱作絕緣柵場效電晶體，因為它歸屬於場效電晶體中的絕緣柵型，全名是金屬—氧化物—半導體場效應電晶體或稱金屬—絕緣體—半導體...

16a。irf1205場效電晶體的引數額定功率18瓦。最大漏源電流：16A，漏源擊穿電壓：600V，內阻：0.26，通態電流：8A，柵極電壓：10Virf1205場效電晶體又稱光敏三極體。它的管殼上備有一個玻璃視窗，以便於接受光照。...

首先將萬用表置於R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐範圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大於正常值，可能是由於內部接觸不良如果測得阻值是無窮大，可能是...

場效電晶體測量好壞先用萬用表R×10kΩ擋(內建有9V或15V電池)，把負表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時萬用表指標有輕微偏轉。再改用萬用表R×1Ω擋，將負表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬用表指...

場效電晶體壞了，外表無異樣。發熱燒壞時，表面顏色會變得灰暗、有的會被燒出一個小孔往外噴黑煙。場效應電晶體簡稱場效電晶體。主要有兩種型別和金屬-氧化物半導體場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬...