工作原理是利用浮柵上儲存的電荷量來改變MOS管的閾值電壓，從而改變MOS管的外部特性。過程描述如下:當MOS管柵極加上較高的電壓(20V左右)，源極接地，漏極浮空，然後會產生大量高能電子，由於電子密度大，有的電子到襯底和浮柵之間的二氧化矽層，由於選擇柵有高電壓，這些電子通過隧穿氧化層(Tunnel Oxide，PS:自己翻譯，不一定準確)到達浮柵。
當移除外部電壓，由於浮柵沒有放電迴路，所以電子會留在浮柵上。當浮柵帶有電子，襯底表面感應的是正電荷，這樣使得MOS管導通電壓變高。 反之，當控制柵極接地，襯底加上較高電壓，源、漏極開路，電子會從浮柵中“吸出”，MOS管導通電壓變低。 浮柵中電荷量，影響到MOS管的導通電壓，從而代表不同的儲存資訊。
