icbt是絕緣柵雙極型晶體管電器元件。絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優點。
icbt是絕緣柵雙極型晶體管電器元件。絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優點。
