LPCVD设备是一种用于物理学、电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2005年8月17日启用。主要功能：淀积多晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化硅等薄膜材料。技术指标：淀积薄膜厚度600A-20000A，极限真空优于1Pa，淀积薄膜片内均匀性：Si3N4±3%多晶硅±4%，SiO2±3%。
