导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
1）t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
2）[t1-t2]区间， GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID， Cgs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。
3）[t2-t3]区间，MOSFET的DS电压降至与Vgs相同，产生Millier效应，Cgd电容大大增加，栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电，从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小。
4）[t3-t4]区间，至t3时刻，MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压，Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电， Cgs 电容的电压上升，至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态，DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
