光电倍增效应又叫雪崩倍增效应。
指如果碰撞电离过程发生很频繁，不断产生出电子-空穴对，这是一系列相继的连锁过程，瞬间即可产生出大量的电子-空穴对--雪崩倍增效应。这是导致材料和器件发生击穿的一种重要机理。
雪崩倍增效应的强弱用雪崩倍增因子M来表示。对于p-n结，当输出电流与输入电流之比为无穷大(即M趋于无穷大)时即产生雪崩击穿如果采用电子和空穴的电离率(在1cm路程上所产生的电子-空穴对的数目)来描述击穿的话，就是当电离率在势垒区中的积分等于1时即发生击穿。这些就是p-n结发生击穿的条件。但是存在倍增效应并不意味着一定会击穿。因为如果不满足击穿条件的话，就不会击穿。
