Exynos 8895采用10nm FinFET工艺，与14nm工艺相比，性能提升27%，功耗减少40%。
三星刚刚发布了其最新的旗舰级芯片Exynos 8895，这枚芯片将在即将到来的Galaxy S8上首发。Exynos 8895也就是之前盛传的将命名为Exynos 9系的芯片。
Exynos 8895采用10nm FinFET工艺，与14nm工艺相比，性能提升27%，功耗减少40%。三星自主研发的第二代猫鼬核心（M2，四核）与四枚A53低功耗核心共同集成了Exynos 8895的CPU部分。GPU部分则为Mali-G71 MP20，拥有20枚核心，性能高达60%。
基带方面，Exynos 8895与骁龙835相同，支持Cat.13/Cat.16标准，理论下载（5CA）速度提升到1Gbps，上传（2CA）150Mbps。这枚新芯片内建双ISP，摄像头支持最高2800万像素或者2800万+1600万像素双摄镜头，支持4K 120fps回放。
内存支持LPDDR4X，存储支持eMMC 5.1/UFS 2.1/SD 3.0。另外，原生的虹膜、指纹安全硬件区块设计，导航兼容GPSGLONASS和中国的北斗。
